DRK8090 Fotoelektresch Profiler

Dëst Instrument adoptéiert net-Kontakt, optesch Phase-verréckelend interferometresch Miessmethod, beschiedegt net d'Uewerfläch vum Werkstéck während der Messung, kann séier déi dreidimensional Grafike vun der Uewerflächmikro-Topographie vu verschiddene Werkstécker moossen, an d'Messung analyséieren a berechnen Resultater.

Produit Beschreiwung
Fonctiounen: Gëeegent fir Miessunge der Uewerfläch roughness vun verschiddenen Jauge Blocks an opteschen Deeler; d'Tiefe vum Reticle vum Lineal an der Dial; d'Dicke vun der Beschichtung vun der Gittergroufstruktur an der Strukturmorphologie vun der Beschichtungsgrenz; der Uewerfläch vun der magnetescher (optesch) Scheif an der Magnéitfeld Kapp Struktur Miessung; Silicon wafer Uewerfläch Rauhheet a Muster Struktur Messung, etc.
Wéinst der héijer Miessgenauegkeet vum Instrument huet et d'Charakteristiken vun net-Kontakt an dreidimensional Messung, an adoptéiert Computerkontroll a séier Analyse a Berechnung vu Miessresultater. Dëst Instrument ass gëeegent fir all Niveau vun Testen a Miessunge Fuerschung Unitéiten, industriell a Biergbau Betrib Miessunge Zëmmeren, Präzisioun Veraarbechtung Atelieren, an och gëeegent fir Institutiounen vun Héichschoul a wëssenschaftlech Fuerschung Institutiounen, etc.
D'Haaptrei technesch Parameteren
Miessunge Beräich vun Uewerfläch mikroskopesch Ongläichheet Déift
Op enger kontinuéierlecher Uewerfläch, wann et keng Héicht abrupt Ännerung méi wéi 1/4 Wellelängt tëscht zwee ugrenzend Pixel ass: 1000-1nm
Wann et eng Héichtmutatioun méi wéi 1/4 vun der Wellelängt tëscht zwee ugrenzend Pixel ass: 130-1nm
Wiederholbarkeet vun der Messung: δRa ≤0.5nm
Objektiv Vergréisserung: 40X
Numeresch Ouverture: Φ 65
Aarbechtsdistanz: 0,5 mm
Instrument Gesiichtsfeld Visuell: Φ0.25mm
Foto: 0,13 × 0,13 mm
Instrument Vergréisserung Visuell: 500×
Foto (observéiert vum Computerbildschierm) -2500×
Empfänger Mooss Array: 1000X1000
Pixel Gréisst: 5,2 × 5,2 µm
Moosszäit Sampling (Scannen) Zäit: 1S
Instrument Standard Spigelreflektivitéit (héich): ~50%
Reflexioun (niddreg): ~4%
Beliichtung Quell: Glühwäin 6V 5W
Gréng Interferenzfilter Wellelängt: λ≒530nm
Halschent Breet λ≒10nm
Haaptmikroskoplift: 110 mm
Dësch Lift: 5 mm
Beweegungsbereich an X- an Y-Richtung: ~10 mm
Rotatiounsberäich vum Aarbechtsbord: 360 °
Schréiegt Beräich vun schaffen Dësch: ± 6 °
Computersystem: P4, 2.8G oder méi, 17-Zoll flaach Écran mat 1G oder méi Erënnerung